Infineon Technologies IPB80N04S204ATMA2

Numero de parte: IPB80N04S204ATMA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.67804/pcs
1,000 pcs
0.77893/pcs

Total:0.67804/pcs

Unit Price:

0.67804/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPB80N04S204ATMA2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB