Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2

Numero de parte: IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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10 pcs
0.65750/pcs
100 pcs
0.51975/pcs
500 pcs
0.40306/pcs
1,000 pcs
0.31821/pcs

Total:0.66500/pcs

Unit Price:

0.66500/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPA80R1K4CEXKSA2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 240µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220 Full Pack
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack