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| Numero de parte | IPA045N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 64A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 64A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
En stock: 990
