Infineon Technologies IKD06N60RAATMA2

Numero de parte: IKD06N60RAATMA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT 600V 12A 100W TO252-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IKD06N60RAATMA2
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de IGBT	Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
Corriente - colector pulsado (Icm)	18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 6A
Potencia - Max	100W
Conmutación de energía	-
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	48nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	12ns/127ns
Condición de prueba	400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	68ns
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3