Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1

Numero de parte: BSD235NH6327XTSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Infineon Technologies

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Parámetro del producto

Numero de parte	BSD235NH6327XTSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1.6µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.32nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	63pF @ 10V
Potencia - Max	500mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT363-6