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| Numero de parte | BSC022N04LSATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
En stock: 5000
