Infineon Technologies BCR555E6327HTSA1

Numero de parte: BCR555E6327HTSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados

Infineon Technologies

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	BCR555E6327HTSA1
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	150MHz
Potencia - Max	330mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23-3

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