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| Numero de parte | 62-0136PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3710pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 19A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | 8-SOIC |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
En stock: 0
