Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - IGBT - Simple GPA025A120MN-ND

Global Power Technologies Group GPA025A120MN-ND

Numero de parte
GPA025A120MN-ND
Fabricante
Global Power Technologies Group
Descripción
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - IGBT - Simple
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

En Stock $ Cantidad de piezas
  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)
  • 1 pcs

    0.86450/pcs
  • 2,500 pcs

    0.86450/pcs
Total:0.86450/pcs Unit Price:
0.86450/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte GPA025A120MN-ND
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT and Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Corriente - colector pulsado (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 25A
Potencia - Max 312W
Conmutación de energía 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 350nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 57ns/240ns
Condición de prueba 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 480ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3PN
Productos relacionados
GPA020A120MN-FD

Fabricante: Global Power Technologies Group

Descripción: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

En stock: 0

RFQ 0.79800/pcs
GPA020A135MN-FD

Fabricante: Global Power Technologies Group

Descripción: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

En stock: 31

RFQ 1.82000/pcs
GPA025A120MN-ND

Fabricante: Global Power Technologies Group

Descripción: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

En stock: 0

RFQ 0.86450/pcs