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Numero de parte | MSRTA400120(A) |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 400A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 400A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | Three Tower |
Paquete de dispositivo del proveedor | Three Tower |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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