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| Numero de parte | MBR50030CT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 500A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 250A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 20V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Twin Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER
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