GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Numero de parte: GA100JT12-227
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

GeneSiC Semiconductor

genesic is a pioneer and a world leader in silicon carbide technology, while also invested in high power silicon technologies. the global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on genesic's technology to elevate the performance and efficiency of their products.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
100.53500/pcs
10 pcs
95.68300/pcs
25 pcs
92.44740/pcs

Total:100.53500/pcs

Unit Price:

100.53500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	GA100JT12-227
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	160A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC