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| Numero de parte | FCD2250N80Z |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
En stock: 5000
