Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple DMP1200UFR4-7

Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7

Numero de parte
DMP1200UFR4-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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En Stock $ Cantidad de piezas
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  • 3,000 pcs

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Total:0.06262/pcs Unit Price:
0.06262/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte DMP1200UFR4-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 514pF @ 5V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor X2-DFN1010-3
Paquete / caja 3-XFDFN
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