Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7

Numero de parte: DMP1011UCB9-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMP1011UCB9-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 4V
Vgs (Max)	-6V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	U-WLB1515-9
Paquete / caja	9-UFBGA, WLBGA