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| Numero de parte | DMG3415UFY4-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 16V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 281.9pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN2015H4-3 |
| Paquete / caja | 3-XFDFN |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
En stock: 15000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
En stock: 12000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
En stock: 153000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
En stock: 30000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
En stock: 0
