| Numero de parte | DMC3025LSD-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A, 4.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 501pF @ 15V |
| Potencia - Max | 1.2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
En stock: 4000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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