cree is an innovator and manufacturer of semiconductors and devices that enhance the value of power, solid-state lighting and communications products.
| Numero de parte | CPMF-1200-S080B |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 313mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Paquete / caja | Die |
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
En stock: 0
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
En stock: 0
