Numero de parte | C2M0025120D |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 463W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
En stock: 1928
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
En stock: 0
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
En stock: 484
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
En stock: 0
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
En stock: 2286
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
En stock: 2357