Numero de parte | AON6560 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 84A (Ta), 200A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 325nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 7.3W (Ta), 208W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 680 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) |
Paquete / caja | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
En stock: 0
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
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