Artikelnummer | VSIB640-E3/45 |
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Teilstatus | Obsolete |
Dioden-Typ | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 400V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2.8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | 4-SIP, GSIB-5S |
Lieferantengerätepaket | GSIB-5S |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 6A 200V SGL BRIDGE 4SIP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 6A 400V SGL BRIDGE 4SIP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 6A 800V SGL BRIDGE 4SIP
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