Artikelnummer | VS-VSKT162/08PBF |
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Teilstatus | Active |
Struktur | Series Connection - All SCRs |
Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs |
Spannung - Aus Zustand | 800V |
Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | 160A |
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 355A |
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 4870A, 5100A |
Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 200mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | INT-A-PAK (3) |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE MODULE 400V INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 800V 82.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 82.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 800V 97.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 97.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 115A INTAPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 115A INTAPAK
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