Artikelnummer | VS-ETF150Y65N |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Half Bridge Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 201A |
Leistung max | 600W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.17V @ 15V, 150A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Auf Lager: 15
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Auf Lager: 9
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Auf Lager: 15
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE HYPERFAST 15A TO-262
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
Auf Lager: 0