Artikelnummer | VS-243NQ100PBF |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 240A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 240A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 6mA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 5500pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | D-67 HALF-PAK |
Lieferantengerätepaket | D-67 |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE MODULE 45V 240A D-67
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 320A DO205AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 60V 320A DO205AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 320A DO205AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 320A 600V M16X1.5 DO9
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