Artikelnummer | SIHP22N60E-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 227W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
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