Artikelnummer | RS3J-E3/9AT |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 250ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
Lieferantengerätepaket | DO-214AB, (SMC) |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Auf Lager: 3500
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE SW 3A 600V 250NS DO-214AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE SW 3A 600V 250NS DO-214AB
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
Auf Lager: 12000
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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