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| Artikelnummer | IRFD010 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Auf Lager: 1656
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Auf Lager: 2695
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Auf Lager: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Auf Lager: 1008
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Auf Lager: 22400
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Auf Lager: 0
