Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IRFB9N65APBF

Vishay Siliconix IRFB9N65APBF

Artikelnummer
IRFB9N65APBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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  • 10 pcs

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  • 100 pcs

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  • 500 pcs

    0.93400/pcs
  • 1,000 pcs

    0.78771/pcs
Gesamt:1.49000/pcs Unit Price:
1.49000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRFB9N65APBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 167W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 5.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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