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| Artikelnummer | IRF830STRR |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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