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| Artikelnummer | TPCA8103(TE12L,Q,M |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 184nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7880pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP-ADV
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV
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