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Artikelnummer | TK31V60X,LQ |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | Super Junction |
Verlustleistung (Max) | 240W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 9.4A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 5-DFN (8x8) |
Paket / Fall | 4-VSFN Exposed Pad |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
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Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
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Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
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Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
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