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| Artikelnummer | SSM6K513NU,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Auf Lager: 12000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Auf Lager: 3510
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10A
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
Auf Lager: 9000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Auf Lager: 0
