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Artikelnummer | SSM3K7002BF,LF |
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Teilstatus | Last Time Buy |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 200mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SC-59 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
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Beschreibung: X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
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