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| Artikelnummer | SSM3J117TU,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UFM |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Auf Lager: 24000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.5A
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