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Artikelnummer | RN4981FE,LF(CB |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 4.7k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | ES6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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