Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STW30NM60D

STMicroelectronics STW30NM60D

Artikelnummer
STW30NM60D
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
ArtikelnummerSTW30NM60D
TeilstatusObsolete
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2520pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)312W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs145 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3
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