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| Artikelnummer | STW13N60M2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
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Hersteller: Stanley Electric Co
Beschreibung: LED WHITE DIFFUSED SMD
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Hersteller: Stanley Electric Co
Beschreibung: LED WHITE DIFFUSED SMD
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
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