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| Artikelnummer | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Auf Lager: 10000
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Auf Lager: 26000
