Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP9N60M2

STMicroelectronics STP9N60M2

Artikelnummer
STP9N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    0.44102/pcs
Gesamt:0.89500/pcsUnit Price:
0.89500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP9N60M2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)60W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs780 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
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