Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP6N120K3

STMicroelectronics STP6N120K3

Artikelnummer
STP6N120K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 500 pcs

    1.90817/pcs
  • 1,000 pcs

    1.60930/pcs
Gesamt:3.04500/pcsUnit Price:
3.04500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP6N120K3
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 100V
Vgs (Max)±30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
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