Artikelnummer | STFW20N65M5 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1434pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 48W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-3PH
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
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