Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STFI12N60M2

STMicroelectronics STFI12N60M2

Artikelnummer
STFI12N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:0.88500/pcsUnit Price:
0.88500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTFI12N60M2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds538pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAKFP (TO-281)
Paket / FallTO-262-3 Full Pack, I²Pak
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