Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STF33N60DM2

STMicroelectronics STF33N60DM2

Artikelnummer
STF33N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    1.08185/pcs
Gesamt:2.05000/pcsUnit Price:
2.05000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTF33N60DM2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
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