Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STF11N60DM2

STMicroelectronics STF11N60DM2

Artikelnummer
STF11N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:0.85500/pcsUnit Price:
0.85500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTF11N60DM2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds614pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs420 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
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