Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STD80N10F7

STMicroelectronics STD80N10F7

Artikelnummer
STD80N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
ArtikelnummerSTD80N10F7
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3100pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)85W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 40A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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