Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STD2NK60Z-1

STMicroelectronics STD2NK60Z-1

Artikelnummer
STD2NK60Z-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    0.32918/pcs
  • 1,000 pcs

    0.25988/pcs
Gesamt:0.57000/pcsUnit Price:
0.57000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTD2NK60Z-1
TeilstatusObsolete
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 700mA, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI-Pak
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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