| Artikelnummer | STD2NK60Z-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 45W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 700mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 25A DPAK
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