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| Artikelnummer | STD15N60M2-EP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 378 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
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