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| Artikelnummer | SGSD100 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 25A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 80mA, 20A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 10A, 3V |
| Leistung max | 130W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 13A 45W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 23A 73W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 1500V 10A 50W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 8A 35W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 6A 22W TO220F
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 6A 22W TO220F
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