Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2ST501T

STMicroelectronics 2ST501T

Artikelnummer
2ST501T
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:0.73000/pcsUnit Price:
0.73000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer2ST501T
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 2mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 2A, 2V
Leistung max100W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
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