Artikelnummer | UG4KB60TB |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 600V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | 4-ESIP |
Lieferantengerätepaket | D3K |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 4A 50V 20NS DO-201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 4A 50V 20NS DO-201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 4A 100V 20NS DO-201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE 4A 100V 20NS DO-201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
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